| 相变存储器曝光工艺研究 |
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| 引用本文： | 吕士龙,宋志棠,封松林.相变存储器曝光工艺研究[J].微纳电子技术,2006,43(6):298-300. |
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| 作者姓名： | 吕士龙 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 介绍了在相变材料上的曝光工艺研究,得出了相应的工艺条件,研究了邻近效应的影响以及利用邻近效应制作nm量级间隔大电极对的方法。
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| 关 键 词： | 曝光 相变材料 邻近效应 电极 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)06-0298-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-01 |
| 修稿时间： | 2006年3月1日 |
Study on C-RAM Electron Beam Lithography Technology |
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| L Shi-long,SONG Zhi-tang,FENG Song-lin.Study on C-RAM Electron Beam Lithography Technology[J].Micronanoelectronic Technology,2006,43(6):298-300. |
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| Authors: | L Shi-long SONG Zhi-tang FENG Song-lin |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | EB lithography on C-RAM and proximity effect were introduced. A method has worked out to obtain large-area double-electrode with nano-interval. |
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| Keywords: | expoal phase change material proximity effect electrode |
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