| PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究 |
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| 引用本文： | 王喜媛,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇.PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究[J].微电子学与计算机,2003,20(6):8-12. |
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| 作者姓名： | 王喜媛 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家实验室基金资助项目(99JS09.3.1DZ0111) |
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| 摘 要： | 在进行PNP型SiGe HBT的设计时，通过改变Ge组分而改变能带结构，而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式：三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析，认为其它条件相同时，梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大，而且梯形和三角形随Ge的增大而增大，但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小，本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。
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| 关 键 词： | PNP型SiGeHBT 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分 |
| 修稿时间： | 2002年11月20 |
Study on the Current Gain in PNP SiGe HBT and Ge-profile |
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| WANG Xi-yuan,ZHANG He-ming,DAI Xian-ying,Hu Hui-yong.Study on the Current Gain in PNP SiGe HBT and Ge-profile[J].Microelectronics & Computer,2003,20(6):8-12. |
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| Authors: | WANG Xi-yuan ZHANG He-ming DAI Xian-ying Hu Hui-yong |
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