| 氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响 |
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| 引用本文： | 唐广,郝智彪,钱可元,罗毅.氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响[J].功能材料与器件学报,2004,10(4):451-454. |
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| 作者姓名： | 唐广 郝智彪 钱可元 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学深圳研究生院,深圳,518000;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学深圳研究生院,深圳,518000;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60244001)，清华大学基础研究基金(No.JZ2002005)资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下，氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化，并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级，反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行，可应用于制备高性能的AlGaN／GaN HEMT器件。
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| 关 键 词： | AlGaN 肖特基接触 等离子体 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)04-0451-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月1日 |
Effect of oxygen plasma treatment on AlGaN Schottky contacts |
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| TANG Guang ,HAO Zhi -biao ,QIAN Ke -yuan ,LUO Yi.Effect of oxygen plasma treatment on AlGaN Schottky contacts[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(4):451-454. |
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| Authors: | TANG Guang HAO Zhi -biao QIAN Ke -yuan LUO Yi |
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| Affiliation: | TANG Guang 1,HAO Zhi -biao 2,QIAN Ke -yuan 1,LUO Yi 1,2 |
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| Abstract: | The effects of dry etching and oxyge n plasma treatment on AlGaN surface p roperty were studied.Under optimized condition,the surface of AlGaN is oxidated resulting in decreased reverse leakage current by two orders of magn itude and increased breakdown volta ge.This method is simple to fabricate high performance AlGaN/GaN HEMT devices. |
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| Keywords: | AlGaN Schottky contacts plasma |
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