| 退火对Pt/TiO2肖特基二极管结构及电学性能的影响 |
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| 作者姓名： | 韩超 罗希 戴楼成 |
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| 作者单位： | 上海大学纳微能源研究所,上海200444;上海大学理学院,上海200444;上海大学纳微能源研究所,上海200444;上海大学理学院,上海200444;上海大学纳微能源研究所,上海200444;上海大学理学院,上海200444 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61204129); 上海市科委项目(12ZR1444000, 10PJ1403800, 11DZ1111200); 云南科技厅项目(2010AD003); 上海市优秀青年教师科研专项基金项目; 上海大学创新基金项目 |
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| 摘 要： | 以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行表征与结构分析.结果表明,退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构.在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153～433 K温度范围内对其进行了I-V测试,得到以下结果:在整个温度范围内,A1/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流特性;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433 K下,理想因子为1.31,势垒高度为0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管.
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| 关 键 词： | 退火 TiO2薄膜 肖特基二极管 |
| 收稿时间： | 2016-03-16 |
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