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| 多晶硅的ECR等离子体刻蚀 | |
| 引用本文： | 陈永生,汪建华. 多晶硅的ECR等离子体刻蚀[J]. 武汉工程大学学报, 2003, 25(1) |
| 作者姓名： | 陈永生 汪建华 |
| 作者单位： | 武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉,430073 |
| 基金项目： | 湖北省教育厅科研项目 |
| 摘 要： | 报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min. |
| 关 键 词： | 电子回旋共振 刻蚀 多晶硅 |
Poly-Si etching by CF4 in electron cyclotron resonance plasma |
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