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| 多晶CdS/CdTe异质结界面的能带偏移 | |
| 作者姓名： | 黄代绘 吴海霞 李卫 冯良桓 |
| 作者单位： | 西南交通大学理学院 成都610031 (黄代绘),四川大学材料科学与工程学院 成都610064 (吴海霞,李卫),四川大学材料科学与工程学院 成都610064(冯良桓) |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质．获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移ΔEV=0.98eV±0.05eV,导带偏移ΔEc=0.07±0.1eV． |
| 关 键 词： | 真空沉积 CdS/CdTe异质结 价带偏移 导带偏移 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1144-05 |
| 修稿时间： | 2004-08-08 |
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