| Si衬底上具有Poly-Si/SiO2堆叠缓冲层的Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 存储电容 |
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| 引用本文： | 蔡道林,李平,翟亚红,宋志棠,陈后鹏.Si衬底上具有Poly-Si/SiO2堆叠缓冲层的Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 存储电容[J].半导体学报,2011,32(9):094007-4. |
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| 作者姓名： | 蔡道林 李平 翟亚红 宋志棠 陈后鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目基金 |
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| 摘 要： | 在p型Si衬底上沉积多晶硅薄膜和Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT)薄膜形成过渡层。测试淀积在多晶硅上的PZT薄膜不同退火温度的X射线衍射峰。Pt/PZT/poly-Si电容被研究。由于PZT薄膜的铁电极化特性，金属/铁电/多晶硅/二氧化硅/Si结构存储电容在650度退火展示了其顺时针的电压-电容曲线。存储窗口随着SiO2电容和PZT电容的耦合比的增加而增大。
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| 关 键 词： | PZT薄膜， 存储电容， 存储窗口 |
| 收稿时间： | 3/10/2011 2:08:05 PM |
| 修稿时间： | 5/5/2011 10:28:03 AM |
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer |
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| Chen Haiyang,Li Ping,Zhai Yahong,Song Zhitang and Chen Houpeng.Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(9):094007-4. |
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| Authors: | Chen Haiyang Li Ping Zhai Yahong Song Zhitang and Chen Houpeng |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | capacitor thin film memory |
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