| NMOS晶体管的退火特性研究 |
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| 引用本文： | 姚育娟,张正选,彭宏论,何宝平,姜景和.NMOS晶体管的退火特性研究[J].原子能科学技术,2000,34(6):481-486. |
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| 作者姓名： | 姚育娟 张正选 彭宏论 何宝平 姜景和 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 |
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| 摘 要： | 探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性，研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件，高源１００℃下的退火速度远大于室温２５℃下退火速度。２５￣２５０℃下的等时退火，其退火程度接近１６８ｈ的１００℃等温退火。对不同的退火情况，退火偏置的作用是相似的，＋５Ｖ栅偏压退火速度大于０Ｖ栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的
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| 关 键 词： | 等温退火 等时退火 NMOS晶体管 电离辐照 |
| 修稿时间： | 1999-07-14 |
Research of Annealing Characteristics for NMOS Transistor |
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| YAO Yu-juan,ZHANG Zheng-xuan,PENG Hong-lun,HE Bao-ping,JIANG Jing-he.Research of Annealing Characteristics for NMOS Transistor[J].Atomic Energy Science and Technology,2000,34(6):481-486. |
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| Authors: | YAO Yu-juan ZHANG Zheng-xuan PENG Hong-lun HE Bao-ping JIANG Jing-he |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | isochronal annealing isothermal annealing annealing bias |
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