| ZnO单晶的制备及气敏特性研究 |
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| 引用本文： | 潘素英 毛骏飙. ZnO单晶的制备及气敏特性研究[J]. 功能材料, 1993, 24(6): 524-528 |
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| 作者姓名： | 潘素英 毛骏飙 |
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| 作者单位： | 武汉工业大学材料研究与测试中心，武汉工业大学材料研究与测试中心 武汉 430070，武汉 430070 |
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| 摘 要： | ![]()
利用ZnO粉末和活性碳粉的混合物,通过气相反应在1050～1150℃获得发育良好的ZnO单晶,典型的晶形长15～25mm,直径0.1mm,生长方向[0001]方向。同时研究了掺杂Li~+和未掺杂Li~+单晶对1％浓度的H_2,CO,CH_4的气敏特性的影响,发现在400℃时,对3种可燃性气体的敏感性具有最大值,特别是,掺杂Li~+样品对H_2的灵敏度(Ra/Rg)达22。实验表明,通过受主掺杂控制ZnO单晶中的施主电子浓度,可以有效提高其对可燃性气体的敏感性。
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| 关 键 词： | ZnO 单晶 气敏性 Li^＋掺杂 半导体 |
Single Crystal ZnO for Gas Sensors and its Characteristics |
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| Pan Suying Mao Junbiao. Single Crystal ZnO for Gas Sensors and its Characteristics[J]. Journal of Functional Materials, 1993, 24(6): 524-528 |
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| Authors: | Pan Suying Mao Junbiao |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ZnO single crystals gas sensitivity Li~+-doping |
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