| SiGe／Si异质结器件 |
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| 引用本文： | 许忠义 白丁. SiGe／Si异质结器件[J]. 微电子学与计算机, 1996, 13(5): 11-15,21 |
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| 作者姓名： | 许忠义 白丁 |
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| 作者单位： | 北京微电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文综述了国际上ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的发展状况，分析了该器件的结构要理，特点，优越性及制造技术，阐述了该器件的广阔应用和对微电子将产的重大影响。
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| 关 键 词： | SiGe异质结器件 Si异质结器件 电子器件 |
SiGe/Si Heterjunction Device |
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| Xu Zhongyi and Bai Ding. SiGe/Si Heterjunction Device[J]. Microelectronics & Computer, 1996, 13(5): 11-15,21 |
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| Authors: | Xu Zhongyi and Bai Ding |
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| Abstract: | The paper presents the development of Si-Ge heterjunction devices, describes the device structure, feature, advantage. fabrication technology, application prospect and important impact on microelectronic technic. |
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| Keywords: | SiGe/Si heterjunction Hetermaterial band structure Band abrupt Highfrequence Highspeed Photoelectricity Low temprature |
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