基于DRAM和PCM的混合主存模拟器 |
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作者姓名: | 张德志 万寿红 岳丽华 |
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作者单位: | 中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026,中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026,中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61472376) |
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摘 要: | 相变存储器(PCM)由于其非易失性、高读取速度以及低静态功耗等优点,已成为主存研究领域的热点.然而,目前缺乏可用的PCM设备,这使得基于PCM的算法研究得不到有效验证.因此,本文提出了利用主存模拟器仿真并验证PCM算法的思路.本文首先介绍了现有主存模拟器的特点,并指出其并不能完全满足当前主存研究的实际需求,在此基础上提出并构建了一个基于DRAM和PCM的混合主存模拟器.与现有模拟器的实验比较结果表明,本文设计的混合主存模拟器能够有效地模拟DRAM和PCM混合存储架构,并能够支持不同形式的混合主存系统模拟,具有高可配置性.最后,论文通过一个使用示例说明了混合主存模拟器编程接口的易用性.
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关 键 词: | 相变存储器 混合主存系统 模拟器 |
收稿时间: | 2016-12-30 |
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