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| CdSe/TiO2复合薄膜的制备及光电性能研究 | |
| 引用本文： | 薛晋波,李雪方,梁伟,王红霞.CdSe/TiO2复合薄膜的制备及光电性能研究[J].材料工程,2013(1):21-24. |
| 作者姓名： | 薛晋波 李雪方 梁伟 王红霞 |
| 作者单位： | 1. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024;太原理工大学山西省新材料工程技术研究中心,太原030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 2. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024 3. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，山西省科技攻关基金，太原理工大学校青年基金 |
| 摘 要： | 以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。 |
| 关 键 词： | 电化学沉积 TiO2纳米管 沉积电压 CdSe纳米晶薄膜 |
Preparation and Characterization of Nano-heterojunction CdSe/TiO2 Film |
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| XUE Jin-bo , LI Xue-fang , LIANG Wei , WANG Hong-xia.Preparation and Characterization of Nano-heterojunction CdSe/TiO2 Film[J].Journal of Materials Engineering,2013(1):21-24. | |
| Authors: | XUE Jin-bo LI Xue-fang LIANG Wei WANG Hong-xia |
| Affiliation: | 1(1 College of Materials Science and Engineering,Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024,China;2 Shanxi Research Center of Advanced Materials Science and Technology,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China; 3 Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials(Ministry of Education),Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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