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| 展望氮化镓器件的光辉未来 | |
| 引用本文： | 从征.展望氮化镓器件的光辉未来[J].激光与光电子学进展,1998,35(7):9-11. |
| 作者姓名： | 从征 |
| 摘 要： | 由于日本日亚化学公司S．Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h，氨化镓（GaN）研究人员将会记住这一年。同年的材料研究协会（MRS）秋季会议（1997年12月1～5日在波士顿举行）也因此及时地给Nakamura的GaN发光二极管商业化成就授予了材料研究协会奖，并且很快把二极管激光器包括到“GaN二极管激光器的工业应用”辅导会议中。该辅导包括三个专家讲演的特邀论题，即印刷、光记录和显示业，由此地激起了GaN激光器对这些领域未来影响的设想。加州施乐帕罗·阿尔多研究中心的R．Bringans评述了印刷业和它转移到… |
| 关 键 词： | 氮化镓 二极管激光器 半导体激光器 |
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