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| 半导体技术 | |
| 摘 要： | TN301,TN304 00020364HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系/李效白,崔立奇,张文俊,贾海强(电子部13所)11半导体情报,一1 999,36(2)一33一38给出了HEMT和PHEMT的数学一物理模型.系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。图3表1参12(午)与温度的关系.结果表明,电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响.霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射确定,而它的高温尾取决于声学声子,极化光学声子和谷间声子散射.计算的霍耳迁移率与实验数据… |
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