CH-1型硅集成热电堆红外传感器 |
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引用本文: | 卢建国,隋兆文,熊斌,王文珍,陈芬和,王渭源.CH-1型硅集成热电堆红外传感器[J].传感器与微系统,1988(4). |
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作者姓名: | 卢建国 隋兆文 熊斌 王文珍 陈芬和 王渭源 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所
(卢建国,隋兆文,熊斌,王文珍,陈芬和),中国科学院上海冶金研究所(王渭源) |
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摘 要: | 本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为:波段为8~14μm,电阻值为4±1kΩ,响应率为10~15V/W,时间常数<100ms,探测值D~*~1×10~8cm (Hz)~(1/2)/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。
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