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超深亚微米集成电路互连线几何变异提取方法
引用本文:高盼盼,叶兵. 超深亚微米集成电路互连线几何变异提取方法[J]. 现代电子技术, 2009, 32(16): 22-24
作者姓名:高盼盼  叶兵
作者单位:合肥工业大学,安徽,合肥,230009
摘    要:
硅片上互连线几何变异提取对于超深亚微米工艺节点下集成电路可制造性设计研究开发极其关键.这里基于电阻和电容等电学测试结构相应的数学计算公式,阐述进行互连线几何变异提取的方法,分析所采用的测试结构与计算公式的可行性,讨论误差来源,提出仿真工作与测试芯片设计原则.目的在于解决工艺建模与寄生参数建模过程中电阻和电容变异之间紧密的空间相关性,从而易于建立用于集成电路参数成品率评估计算的可制造性设计模型.

关 键 词:互连线  几何变异提取  可制造性设计  参数成品率  测试结构

Methodology for Ultra Deep Sub-micro Integrated Circuit Interconnect Geometric Variation Extraction
GAO Panpan,YE Bing. Methodology for Ultra Deep Sub-micro Integrated Circuit Interconnect Geometric Variation Extraction[J]. Modern Electronic Technique, 2009, 32(16): 22-24
Authors:GAO Panpan  YE Bing
Abstract:
Keywords:
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