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| 未掺杂P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的点缺陷及其电学性质 | |
| 作者姓名： | 杨建荣 俞振中 汤定元 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (杨建荣,俞振中),中国科学院上海技术物理研究所(汤定元) |
| 摘 要： | 用不同热处理条件对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料进行了高温热处理,样品温度的变化范围为430℃到600℃,汞源蒸汽压在样品的汞脱溶线和碲脱溶线之间变动。对淬火冷却后的样品进行变温和变磁场霍耳测量,求得与温度和磁场无关的样品霍耳浓度和热处理条件的关系以及空穴迁移率和空穴浓度的关系。文章首先对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料的缺陷机构作了比较系统的分析,证明二次电离汞空位是未掺杂P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料中受主点缺陷的唯一可能 |
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