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真空二流体制作35μm/35μm细线路的研究
引用本文:陈华丽,林辉,钟文光.真空二流体制作35μm/35μm细线路的研究[J].印制电路信息,2015(3):35-39.
作者姓名:陈华丽  林辉  钟文光
作者单位:超声印制板公司
摘    要:文章尝试了采用真空二流体蚀刻试做35μm/35μm线路的可行性。经过实验证明:采用DES工艺&搭配合适的蚀刻设备,如真空二流体蚀刻机,可以把细线路制作等级提升到35μm/35μm;能获得大于3的蚀刻因子,局部区域的蚀刻因子更是高达14.99-11.82。此外,3μm铜箔可以获得集中度更高的线宽&更高的蚀刻因子。

关 键 词:细线路  真空二流体蚀刻
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