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| 钛酸铋基铁电薄膜研究进展 | |
| 引用本文： | 张端明,杨斌,魏念,李智华,郑朝丹,吴云翼,郭冬云,王龙海,杨卫明,王耘波,高俊雄,于军.钛酸铋基铁电薄膜研究进展[J].功能材料,2006,37(3):351-354,357. |
| 作者姓名： | 张端明 杨斌 魏念 李智华 郑朝丹 吴云翼 郭冬云 王龙海 杨卫明 王耘波 高俊雄 于军 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074 2. 华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学和技术系,湖北,武汉,430074 3. 华中科技大学,电子科学和技术系,湖北,武汉,430074 |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目 , 湖北省武汉市青年科技"晨光计划"项目 |
| 摘 要： | 钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论. |
| 关 键 词： | 钛酸铋 铁电薄膜 制备工艺 掺杂改性 疲劳 |
| 文章编号： | 1001-9731（2006）03-0351-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-04 |
| 修稿时间： | 2005-07-042005-10-08 |
Progress in studies on BIT-based ferroelectric thin films |
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| ZHANG Duan-ming,YANG Bin,WEI Nian,LI Zhi-hua,ZHENG Chao-dan,WU Yun-yi,GUO Dong-yun,WANG Long-hai,YANG Wei-ming,WANG Yun-bo,GAO Jun-xiong,YU Jun.Progress in studies on BIT-based ferroelectric thin films[J].Journal of Functional Materials,2006,37(3):351-354,357. | |
| Authors: | ZHANG Duan-ming YANG Bin WEI Nian LI Zhi-hua ZHENG Chao-dan WU Yun-yi GUO Dong-yun WANG Long-hai YANG Wei-ming WANG Yun-bo GAO Jun-xiong YU Jun |
| Abstract: | BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroeLectric/dielectric properties and promising application prospect in non-volatile random access memory. In this article, the effects of doping and preparation on the properties of the thin films and the fatigue property researches are summarized. Furthermore, we discuss several problems of the current researches hased on the acquired research results. |
| Keywords: | Bi_3Ti_4O_(12)(BIT) ferroelectric thin film preparation doping fatigue |
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