偏析法制备高纯电子铝箔的再结晶织构演变

本工作基于偏析法高纯铝制备的高压电子铝箔,用电子背散射衍射(EBSD)和X射线衍射(XRD)方法研究其在退火过程中的再结晶织构演化,并建立元胞自动机(Cellular automata, CA)模型从能量角度解释不同再结晶机制。实验和模拟结果表明,分级退火时,在低温段变形基体中S型取向({123}〈634〉)和Cu型取向({112}〈111〉)的晶粒通过连续再结晶获得长大优势,立方取向({001}〈100〉)晶粒的形核受到抑制,在后续高温段S型取向和Cu型取向晶粒迅速长大并形成了以S型和Cu型织构为主的再结晶织构;直接高温退火时立方取向晶粒优先形核、长大从而形成强立方织构;CA模型表明两种不同退火条件下的能量差异是造成不同再结晶织构的主要原因。