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| 东芝正在研发10nm制程闪存技术 | |
| 引用本文： | 蔚慧.东芝正在研发10nm制程闪存技术[J].信息记录材料,2008,9(1):59-59. |
| 作者姓名： | 蔚慧 |
| 摘 要： | <正>东芝公司在美国华盛顿举行的国际电子元件大会(International Electron Devices Meeting,IEDM)上宣布,他们已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术,有望在未来实现超过100Gb的存储密度,比目前的技术领先4代。 |
| 关 键 词： | 闪存技术 东芝公司 制程 Devices 研发 电子元件 存储密度 华盛顿 |
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