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| 钕掺杂对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 亓鹏 王矜奉 陈洪存 高琨 高建鲁 |
| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100;济南安太电子研究所,山东,济南,250010 |
| 基金项目： | 国家理科人才培养基地建设项目 |
| 摘 要： | 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。 |
| 关 键 词： | 二氧化锡 压敏电阻器 电学性能 |
| 文章编号： | 1001-2028(2002)11-0001-03 |
| 修稿时间： | 2002-07-02 |
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