| 直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征 |
| |
| 引用本文： | 童杏林,郑启光,胡兵,秦应雄,席再军,于本海.直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征[J].半导体学报,2004,25(2). |
| |
| 作者姓名： | 童杏林 郑启光 胡兵 秦应雄 席再军 于本海 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074 |
| |
| 摘 要： | 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.
|
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 直流放电 GaN薄膜 AlN缓冲层 |
Growth of GaN Thin Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layer by Current Discharge Assisted Pulsed Laser Deposition |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
