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| 超薄SiO2栅介质厚度提取与分析 | |
| 作者姓名： | 谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好. |
| 关 键 词： | 超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |