| Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究 |
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| 引用本文： | 邓咏桢,郑有炓,周春红,孔月婵,陈鹏,叶建东,顾书林,沈波,张荣,江若琏,韩平,施毅.Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究[J].半导体学报,2004,25(9). |
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| 作者姓名： | 邓咏桢 郑有炓 周春红 孔月婵 陈鹏 叶建东 顾书林 沈波 张荣 江若琏 韩平 施毅 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2、Et3都是由于衬底Si原子扩散到AlN引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2.Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,AlN中Et1和Et2两个深陷阱中心也是稳定的.
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| 关 键 词： | Si基AlN 深陷阱中心 PL谱 |
Investigation of Deep Trap Center of AlN Grown on Si Substrate |
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