| CMOS运算放大器的辐照和退火行为 |
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| 引用本文： | 任迪远,陆妩,郭旗,余学锋,王明刚,胡浴红,赵文魁.CMOS运算放大器的辐照和退火行为[J].半导体学报,2004,25(6). |
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| 作者姓名： | 任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 王明刚 胡浴红 赵文魁 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011
2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.
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| 关 键 词： | CMOS运算放大器 电离辐射 退火 |
Radiating and Annealing on CMOS Operation Amplifier |
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