| 0.25μm GaAs基MHEMT器件 |
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| 引用本文： | 石华芬,刘训春,张海英,石瑞英,王润梅,汪宁,罗明雄.0.25μm GaAs基MHEMT器件[J].半导体学报,2004,25(3). |
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| 作者姓名： | 石华芬 刘训春 张海英 石瑞英 王润梅 汪宁 罗明雄 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.
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| 关 键 词： | 铟铝砷/铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管 |
0.25μm GaAs-Based MHEMT Device |
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