用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究 |
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引用本文: | 施卫,张显斌,贾婉丽,李孟霞,许景周,张希成.用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究[J].半导体学报,2004,25(12). |
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作者姓名: | 施卫 张显斌 贾婉丽 李孟霞 许景周 张希成 |
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作者单位: | 1. 西安理工大学应用物理系,西安,710048 2. 美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系,纽约州特洛伊市,1218023590,美国 |
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摘 要: | 报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.
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关 键 词: | GaAs光电导偶极天线 太赫兹电磁波 皮秒电脉冲 |
Investigation on Terahertz Generation with GaAs Photoconductor Triggered by Femo-Second Laser Pulse |
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Abstract: | |
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