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| 基于共振隧穿二极管的TSRAM设计 | |
| 作者姓名： | 程玥 潘立阳 许军 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 摘 要： | 介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理.讨论了nMOS,pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点,综合考虑面积和功耗后,发现nMOS是选中管的最佳选择.设计了基于RTD的TSRAM系统结构.模拟显示了这种新型存储器具有高集成度、高速和低功耗的优势. |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 隧穿静态随机存储器 高速 低功耗 |
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