| 0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用 |
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| 引用本文： | 张海英,刘训春,罗明雄,刘洪民,王润梅.0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用[J].半导体学报,2004,25(10). |
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| 作者姓名： | 张海英 刘训春 罗明雄 刘洪民 王润梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好.
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| 关 键 词： | GaAs PHEMT T形栅 激光调制驱动电路 |
Application of 0.2μm T-Shaped Gate Technology in 10Gbps DWDM Driver Circuits |
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