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用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数
引用本文:张有涛,夏冠群,高建峰,李拂晓,铁宏安,杨乃彬.用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数[J].半导体学报,2004,25(7).
作者姓名:张有涛  夏冠群  高建峰  李拂晓  铁宏安  杨乃彬
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;南京电子器件研究所,南京,210016
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
3. 南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1~10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取.

关 键 词:参数提取  遗传算法  模型  MESFET

Precise Extraction of GaAs MESFET Small Signal Model Using Improved Genetic Algorithm
Abstract:
Keywords:
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