| 光伏新材料a-CNx薄膜的光电响应性质 |
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| 引用本文： | 刘梅苍,周之斌,丁正明,崔容强.光伏新材料a-CNx薄膜的光电响应性质[J].半导体学报,2004,25(4):400-403. |
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| 作者姓名： | 刘梅苍 周之斌 丁正明 崔容强 |
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| 作者单位： | 上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200030;上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200030;上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200030;上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200030 |
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| 摘 要： | 采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a-CNx薄膜的光响应增益达18,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0,经过氢化处理的未掺杂a-CNx薄膜的光响应增益为30,光响应时间大约为300s.
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| 关 键 词： | 氮化碳薄膜 磷掺杂a-CNx 离子束溅射 光电响应 |
Photo Response Properties of Photovoltaic New Material--Carbon Nitride Thin Films |
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