| 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义. 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J]. 半导体学报, 2004, 25(5) |
| |
| 作者姓名： | 陆敏 方慧智 黎子兰 陆曙 杨华 章蓓 张国义 |
| |
| 作者单位： | 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | ![]()
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.
|
| 关 键 词： | MOCVD GaN 缓冲层 |
Multi-Buffer Layers Effect on Characteristic of GaN Grown by MOCVD |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
