| As+/N2+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布 |
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| 引用本文： | 韩宇,肖鸿飞,高雅君,马德录.As+/N2+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布[J].半导体学报,2004,25(4). |
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| 作者姓名： | 韩宇 肖鸿飞 高雅君 马德录 |
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| 作者单位： | 辽宁大学物理系原子与辐射研究所,沈阳,110036;沈阳大学物理系,沈阳,110036 |
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| 基金项目： | 辽宁省教育厅资助项目，辽宁省辽阳市科技局资助项目 |
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| 摘 要： | 采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As+/N2+组合离子注入Si的衍射曲线,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型,对衍射曲线进行拟合,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布.在500～900℃下进行等时热退火,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究.用LSS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布,并对二者进行了比较分析.
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| 关 键 词： | 组合离子注入 双晶X射线衍射 晶格应变 退火 杂质浓度 |
Damage Annealing and Impurity Density Distribution of As+/N2+ Co-Implantation Si |
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