| Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管 |
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| 引用本文： | 陈效建,吴旭,李拂晓,焦刚.Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管[J].半导体学报,2004,25(9). |
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| 作者姓名： | 陈效建 吴旭 李拂晓 焦刚 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti)/InAlAs Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳"推栅"温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0μm×100μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0.12V,跨导为470mS/mm及截止频率为50GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT.
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| 关 键 词： | MHEMT 增强型 Pt基埋栅势垒 稳定性 |
GaAs-Based Enhanced-Mode Metamorphic High Electron Mobility Transistor by Using Buried Pt-Schottky Gate |
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