|
|||||
|
|
| ZnO/SiC/Si(111)异质外延 | |
| 作者姓名： | 朱俊杰 林碧霞 姚然 赵国亮 傅竹西 |
| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学物理系,合肥,230026 2. 中国科学技术大学物理系,合肥,230026;中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国科学院知识创新工程项目 |
| 摘 要： | 使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以及室温下的PL谱.实验结果表明,SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能,并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜. |
| 关 键 词： | 低压MOCVD ZnO/SiC/Si 结构特性 光致发光 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |