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Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3陶瓷介电性能的影响
引用本文:张鹤凌,梁辉,徐廷献. Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3陶瓷介电性能的影响[J]. 压电与声光, 2003, 25(4): 312-314
作者姓名:张鹤凌  梁辉  徐廷献
作者单位:天津大学,材料学院,高温结构陶瓷及工程陶瓷加工技术教育部重点实验室,天津,300072
摘    要:
实验发现Fe2O3可以有效地展宽并压抑BaSn0.11Ti0.89O3电介质陶瓷材料的居里峰值。该文研究了Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3基陶瓷的介电性能的影响。用环境扫描电镜(SEM)对不同掺杂量样品的表面形貌进行了观察。发现其介电常数-温度(ε-T)曲线、材料的抗电强度、品粒的粒径及其分布以及晶粒生长状况等都随Fe2O3掺杂量的变化而有规律地变化,并在所获数据的基础上讨论了Fe2O3掺杂的改性机理。

关 键 词:钛酸钡 铁电 氧化铁 电介质陶瓷
文章编号:1004-2474(2003)04-0312-03
修稿时间:2002-09-09

Influence of Fe2O3 Doping on Dielectric Properties of BaSn0.11Ti0.89O3 Based Ceramic
Abstract:
Keywords:Barium titanate  ferroelectrics  ferric oxide  dielectric ceramic
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