| 用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能 |
| |
| 引用本文： | 林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,宋浩然.用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):234-238. |
| |
| 作者姓名： | 林殷茵 汤庭鳌 黄维宁 宋浩然 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系微电子所, |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目! (6 9876 0 0 8)，AM基金项目，“86 3”项目资助 |
| |
| 摘 要： | 采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的 Pr值
|
| 关 键 词： | 锆钛酸铅 薄膜 铁电体 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)02-0234-05 |
| 修稿时间： | 1999年6月28日 |
Properties of PZT Thin Films Prepared by MOD Method for Ferroelectric Memories |
| |
| Abstract: | The MOD method was employed to prepare PZT thin film with pure perovskite phase and good ferroelectric properties. The typical values of Pr、Ps、Ec were 27 μC/cm 2、44 μC/cm 2、10.9 kV/mm respectively. The further analysis indicated that sufficient crystallization and large grain size were benefical to obtain large P r values. |
| |
| Keywords: | PZT thin film ferroelectrics |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
