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| AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响 | |
| 引用本文： | 张益,潘钟,杜云,黄永箴,吴荣汉.AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响[J].半导体学报,1999,20(3):260-264. |
| 作者姓名： | 张益 潘钟 杜云 黄永箴 吴荣汉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京100083(张益，潘钟，杜云，黄永箴)，中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京10(吴荣汉) |
| 摘 要： | 结合垂直腔面发射激光器的制备,详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响,给出了合理的定性解释,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件.在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器. |
| 关 键 词： | 砷化铝 湿氮氧化 氧化速率 |
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