| 氮化镓干法刻蚀研究进展 |
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| 引用本文： | 王冲,郝跃,冯倩,郭亮良. 氮化镓干法刻蚀研究进展[J]. 半导体技术, 2006, 31(6): 409-413 |
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| 作者姓名： | 王冲 郝跃 冯倩 郭亮良 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家研究发展基金 , 国防预研基金 |
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| 摘 要： | 对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点.回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展.以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌.在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm.对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法.
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| 关 键 词： | 氮化镓 干法刻蚀 等离子体 刻蚀损伤 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)06-0409-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-22 |
| 修稿时间： | 2005-12-22 |
New Development in Dry Etching of GaN |
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| WANG Chong,HAO Yue,FENG Qian,GUO Liang-liang. New Development in Dry Etching of GaN[J]. Semiconductor Technology, 2006, 31(6): 409-413 |
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| Authors: | WANG Chong HAO Yue FENG Qian GUO Liang-liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN dry etching plasma etching damage |
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