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| AlGaN /GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长 | |
| 引用本文： | 李 亮 张 荣,谢自力,张 禹,修向前,姬.AlGaN /GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长[J].激光与红外,2005,35(11). |
| 作者姓名： | 李 亮 张 荣 谢自力 张 禹 修向前 姬 |
| 作者单位： | 1. 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏南京210093; 2. 北京科技大学物理系,北京100083; |
| 摘 要： | 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的Alx Ga1 - xN /GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM．AFM、反射谱等测量分析手段,研究了Alx Ga1 - xN /GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。 |
| 关 键 词： | AlGaN GaN 分布布拉格反射镜 MOCVD |
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