红外多元探测器阵列工艺 |
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引用本文: | 昭华.红外多元探测器阵列工艺[J].激光与红外,1978(4). |
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作者姓名: | 昭华 |
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摘 要: | 本文为圣塔巴巴拉研究中心(SBRC)的多元红外探测器阵列工艺的综述。文内探讨了铅盐、锑化铟、碲锡铅、碲镉汞、非本征锗和硅探测器阵列。文内给出了这些探测器材料的各种现有阵列的例子。介绍了两种不同的探测器/电荷耦合器件阵列混合结构:一种是采用垫铟互连的InSb/电荷耦合器件多层结构,一种是采用蒸发互连的HgCdTe/电荷耦合器件多层结构。这些技术提供了低功率、高密度和在焦平面上作低成本时间延迟和积分的优点。
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