首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

红外多元探测器阵列工艺
引用本文:昭华.红外多元探测器阵列工艺[J].激光与红外,1978(4).
作者姓名:昭华
摘    要:本文为圣塔巴巴拉研究中心(SBRC)的多元红外探测器阵列工艺的综述。文内探讨了铅盐、锑化铟、碲锡铅、碲镉汞、非本征锗和硅探测器阵列。文内给出了这些探测器材料的各种现有阵列的例子。介绍了两种不同的探测器/电荷耦合器件阵列混合结构:一种是采用垫铟互连的InSb/电荷耦合器件多层结构,一种是采用蒸发互连的HgCdTe/电荷耦合器件多层结构。这些技术提供了低功率、高密度和在焦平面上作低成本时间延迟和积分的优点。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息
点击此处可从《激光与红外》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号