电子束掺杂磷 |
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引用本文: | 李秀琼,孙慧玲,王培大.电子束掺杂磷[J].半导体学报,1984,5(1):103-107. |
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作者姓名: | 李秀琼 孙慧玲 王培大 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院电工研究所电子束加工组 |
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摘 要: | 本文提出了一种新的半导体掺杂方法.将掺杂杂质涂敷在待掺杂的半导体表面,利用连续电子束辐照实现了掺杂.其结深可由电子束的参数调节加以控制. 对掺磷的电子束掺杂层进行测量分析,表明,N_P=3.5 × 10~(10)cm~(-3),层内N(x)的变化范围为 10~(12)-10~(20)cm~(-3),μ(x)为 57-130(cm~2/V·scc);低能电子衍射图案呈单晶衍射点和菊池线;沟道背散射测量电子束掺杂层损伤比离子注入的小得多.用这一掺杂法研制成功的平面二极管,性能良好.
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