| 用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓 |
| |
| 引用本文： | 段茜,姚欣,陈铭勇,马延琴,刘世杰,唐雄贵,杜惊雷. 用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓[J]. 光电工程, 2006, 33(4): 50-54 |
| |
| 作者姓名： | 段茜 姚欣 陈铭勇 马延琴 刘世杰 唐雄贵 杜惊雷 |
| |
| 作者单位： | 四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目;国家重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | ![]()
考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。
|
| 关 键 词： | 厚层抗蚀剂曝光模型 显影轮廓 显影线宽 边墙陡度 |
| 文章编号： | 1003-501X(2006)04-0050-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-20 |
| 修稿时间： | 2005-08-15 |
Simulation of resist development profile using thick resist exposure model |
| |
| DUAN Xi,YAO Xin,CHEN Ming-yong,MA Yan-qin,LIU Shi-jie,TANG Xiong-gui,DU Jing-lei. Simulation of resist development profile using thick resist exposure model[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(4): 50-54 |
| |
| Authors: | DUAN Xi YAO Xin CHEN Ming-yong MA Yan-qin LIU Shi-jie TANG Xiong-gui DU Jing-lei |
| |
| Affiliation: | Department of Physics, Sichuan University, Chengdu 610064, China |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | Thick resist exposure model Development profile Line width Sidewall angle |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
