| 基于0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带LNA设计 |
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| 引用本文： | 王春华,万求真.基于0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带LNA设计[J].半导体学报,2011,32(8):085002-6. |
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| 作者姓名： | 王春华 万求真 |
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| 作者单位： | 湖南长沙湖南大学计算机与通信学院,湖南长沙湖南大学计算机与通信学院 |
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| 摘 要： | 本文基于特许0.18μm CMOS工艺，提出了一种新型的低复杂3.1~10.6GHz超宽带LNA电路，它由两级简单的放大器通过级间电感连接构成。第一级放大器使用电阻电流复用结构和双电感退化技术来达到宽带输入匹配和低噪声性能，第二级放大器使用带电感峰值技术的共源级放大器来同时达到高平坦增益和好的宽带性能。测试结果表明，在3.1~10.6GHz频段内，提出的超宽带LNA的最大功率增益为15.6dB，S12为-45dB，输入输出隔离度小于-10dB，噪声系数NF为2.8~4.7dB，在6GHz时的输入三阶交调点IIP3为-7.1dBm。芯片在1.5V电源电压下，消耗的功率为14.1mW，芯片总面积为0.8mm0.9mm。
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| 关 键 词： | CMOS 低噪声放大器 超宽带 电流复用 共源结构 噪声系数 |
| 修稿时间： | 3/18/2011 4:47:07 PM |
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