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二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究
引用本文:李秋霞,朱冬梅,刘永成,周小奎,戴永年.二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(1).
作者姓名:李秋霞  朱冬梅  刘永成  周小奎  戴永年
作者单位:1. 云南师范大学化学化工学院,昆明,650092;真空冶金国家工程实验室,昆明理工大学,昆明,650093
2. 云南师范大学化学化工学院,昆明,650092
3. 真空冶金国家工程实验室,昆明理工大学,昆明,650093
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973计划) 
摘    要:本文引入"物质吉布斯自由能函数法"讨论在低价氟化法制备铝过程中,二氧化硅在不同压力和温度下生成低价氧化硅及其分解的热力学条件并进行了实验验证.研究得出:在100kPa时,二氧化硅与还原剂碳反应在1937K以上才能生成低价氧化硅;而当系统残余压力在100Pa~10Pa内时,在1463K~1352K以上即可以生成低价氧化硅;体系压力在100Pa~10Pa范围内,即低价氧化硅歧化分解温度在1535K~1415K间进行.实验结论:采用真空碳热还原铝土矿实验,在系统压力为150Pa,反应温度为1450℃时,得到含硅为4.87%的金属铝,铝纯度达到95.13%.实验验证了理论研究的正确性,为生产工艺的研究提供了热力学理论依据和实验基础.

关 键 词:真空冶金  歧化  二氧化硅  

Disproportion Reaction of Silica in Vacuum Metallurgy of Aluminum
Li Qiuxia,Zhu Dongmei,Liu Yongcheng,Zhou Xiaokui,Dai Yongnian.Disproportion Reaction of Silica in Vacuum Metallurgy of Aluminum[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(1).
Authors:Li Qiuxia  Zhu Dongmei  Liu Yongcheng  Zhou Xiaokui  Dai Yongnian
Abstract:
Keywords:
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