| 退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结微观结构与性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 任明放,王 华
.退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结微观结构与性能的影响[J].无机材料学报,2008,23(4):700-704. |
| |
| 作者姓名： | 任明放 王 华
|
| |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林541004; |
| |
| 摘 要： | 采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550～700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
|
| 关 键 词： | 退火温度 SrBi2Ta2O9 Bi4Ti3O12 异质结
|
| 收稿时间： | 2007-8-27 |
| 修稿时间： | 2007-11-15 |
Effect of Annealing Temperature on Structure and Properties of Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si Heterostructure |
| |
| REN Ming-Fang,WANG Hua.Effect of Annealing Temperature on Structure and Properties of Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si Heterostructure[J].Journal of Inorganic Materials,2008,23(4):700-704. |
| |
| Authors: | REN Ming-Fang WANG Hua |
| |
| Affiliation: | DepartmentofInformationMaterialScienceandEngineering,GuilinUniversityofElectronicTechnology,Guilin541004,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | annealing temperature SrBi2Ta2O9 Bi4Ti3O12 heterostructure |
|
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
|
