| 铸造多晶硅中氧与碳在连续冷却中的沉淀研究 |
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| 引用本文： | 周潘兵,龚洪勇,陈泽文,汤斌兵,周浪.铸造多晶硅中氧与碳在连续冷却中的沉淀研究[J].太阳能学报,2012,33(3):506-510. |
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| 作者姓名： | 周潘兵 龚洪勇 陈泽文 汤斌兵 周浪 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学与工程学院/太阳能光伏学院,南昌,330031 |
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| 摘 要： | 实验结果显示,铸造多晶硅经1350℃加热1h后在高达10℃/s的速率下冷却仍会产生氧沉淀和热施主,生成氧沉淀的量和热施主的浓度在0.017～10℃/s范围内随冷却速率的增大而减少;与等温过程相比,连续冷却中的氧沉淀和热施主形成速率明显提高;碳在低至0.017℃/s冷却速率下也基本不发生沉淀析出。多晶硅片的少子寿命随冷却速率的增大而减小。基于硅中氧、碳的结构状态与扩散性质对上述沉淀动力学特征及其对多晶硅电学性能的影响进行了讨论。
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| 关 键 词： | 多晶硅 氧 碳 沉淀 |
OXYGEN AND CARBON PRECIPITATION IN CONTINUOUS COOLING IN CAST MULTICRYSTALLINE SILICON |
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| Zhou Panbing
,
Gong Hongyong
,
Chen Zewen
,
Tang Binbing
,
Zhou Lang.OXYGEN AND CARBON PRECIPITATION IN CONTINUOUS COOLING IN CAST MULTICRYSTALLINE SILICON[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2012,33(3):506-510. |
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| Authors: | Zhou Panbing Gong Hongyong Chen Zewen Tang Binbing Zhou Lang |
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| Affiliation: | (School of Materials Science and Engineering/Photovoltaic,Nanchang University,Nanchang 330031,China) |
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