| 深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型 |
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| 引用本文： | 刘富财,蔡翔,罗俊,刘伦才,石建刚.深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型[J].微电子学,2012,42(2):250-254. |
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| 作者姓名： | 刘富财 蔡翔 罗俊 刘伦才 石建刚 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆,400060
2. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆400060;西安电子科技大学 微电子学院,西安710071 |
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| 摘 要： | 随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及其可靠性模型进行了总结。
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| 关 键 词： | 深亚微米器件 CMOS 集成电路 可靠性机理 可靠性模型 |
An Overview of Reliability Mechanisms and Models of Deep Sub-Micron CMOS Device |
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| LIU Fucai
,
CAI Xiang
,
LUO Jun
,
LIU Luncai
,
SHI Jiangang.An Overview of Reliability Mechanisms and Models of Deep Sub-Micron CMOS Device[J].Microelectronics,2012,42(2):250-254. |
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| Authors: | LIU Fucai CAI Xiang LUO Jun LIU Luncai SHI Jiangang |
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| Affiliation: | 1(1.Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing 400060,P.R.China;2.School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,P.R.China) |
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| Abstract: | As CMOS devices shrink into deep sub-micron size,negative bias temperature instability(NBTI),time dependent dielectric breakdown(TDDB),electromigration(EM) and HCI(hot carrier injection) become major reliability issues of CMOS IC’s.Research and development of reliability mechanisms and models for CMOS devices in recent years were summarized in particular. |
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| Keywords: | Deep sub-micron device CMOS Integrated circuit Reliability mechanism Reliability model |
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