| 半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试 |
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| 引用本文： | 王卫宁,杨玉平,艾伦,刘战存. 半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试[J]. 微电子学, 2001, 31(6): 407-409,413 |
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| 作者姓名： | 王卫宁 杨玉平 艾伦 刘战存 |
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| 作者单位： | 首都师范大学物理系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (6 9776 0 2 9)，北京市教育委员会科技发展计划基金 (0 0 KJ- 0 94 ) |
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| 摘 要： | 采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究，测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度。通过改变功率数值或对样品的装配条件，探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响；对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论。
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| 关 键 词： | 半导体器件 功率器件 全息干涉法 热膨胀特性 |
| 文章编号： | 1004-3365(2001)06-0407-03 |
A Study on Thermal Deformation in Semiconductor Devices Using Holographic Interferometry |
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| WANG Wei ning,YANG Yu ping,AI Lun,LIU Zhan cun. A Study on Thermal Deformation in Semiconductor Devices Using Holographic Interferometry[J]. Microelectronics, 2001, 31(6): 407-409,413 |
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| Authors: | WANG Wei ning YANG Yu ping AI Lun LIU Zhan cun |
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| Abstract: | Thermal deformation property of the semiconductor device has been studied using holographic interferometry (HI) technique Results on the deformation types and magnitudes of the device in power supply are presented, which shows that the out of plane displacement is nearly ball shaped in the power supply and the maximum displacement occurs around the center of the chip A detailed analysis on the effects of power is made and external clamping conditions for different displacement patterns are given |
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| Keywords: | Semiconductor device Power device Thermal deformation Holographic interferometry |
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